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固态线路卡接入开关取代继电器
2000年11月8日,奥创箭头,开关,继电器和键盘

Intersil宣布了一种新的线路卡接入交换机(LCAS)系列,具有锁存免疫、低功耗和更高密度的电话通信设备。ISL5571, ISL5572
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肖特基二极管集成MOSFET在一个单一的模具
2000年11月22日,电力电子/电力管理

仙飞半导体公司表示,其SyncFET是业界首个在单个芯片中集成肖特基和MOSFET的芯片。制造商说,集成钛肖特基势垒二极管与垂直
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MOSFET驱动包提供卓越的热性能
2000年11月22日,奥创箭,电力电子/电力管理

Intersil开发了一种新的暴露叶片或E-pad MOSFET包,使电源运行更凉爽和更有效。可用于热增强的8引线小轮廓集成电路
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新型离散电源光盘
2000年11月22日,奥创箭报

Intersil发布了Power CD-ROM 3.2版本,提供了该公司的离散功率产品组合的技术细节,包括金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet),
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多功能200 V超et MOSFET提高了功率效率
2000年11月22日,奥创箭,电力电子/电力管理

Intersil已经将其不断增长的系列UltraFET器件的击穿电压从150 V扩展到200 V。200 V系列UltraFET mosfet是为了提高电源效率和可靠性而设计的
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红外离散服务于高速,高功率的应用
2000年10月25日,奥创箭,光电

Vishay Intertechnology发布了四款新的离散红外(IR)组件,包括发射和接收设备。这是Vishay公司推出的第一个小型化设备
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Intersil投资于蓝牙技术创新公司
2000年10月25日,奥创箭报

Intersil通过对圣地亚哥蓝牙专家Silicon Wave的战略投资,扩大了其在无线通信市场的地位。Silicon Wave是设计射频芯片系统的领导者
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用于数字调制的宽带可编程调制器
2000年3月1日,奥创箭,电信,数据通信,无线,物联网

寻求更高集成水平的宽带数字调制系统的设计者现在可以将单一的信号处理解决方案纳入他们的设计,用于整形、上转换和调制
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高度集成的2,4 GHz功率放大器和检测器
2000年2月16日,奥创箭,电信,数据通信,无线,物联网

Intersil公司利用先进的硅锗(SiGe)技术开发了一种高度集成的射频功率放大器。该公司表示,这一过程允许HFA3983功率放大器和探测器交付
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双超低压降调节器
2000年1月26日,电力电子/电力管理

EBV Elektronik提供安捷伦技术公司的HCPL-772x (DIP-8)和HCPL-072x (SO-8)光耦合器。这些器件采用最新的CMOS集成电路技术
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