功率MOSFET与快体二极管
2022年10月26日电力电子/电源管理
Vishay的新第4代EF系列功率MOSFET技术目前在25°C下提供了行业最低的通电阻，只有0,045 Ω，与类似设备相比。该器件具有较低的有效电容和较低的开关和传导损耗。
在最高结温下，该器件的漏源极额定电压为650v，在额定温度为100℃时，可以处理30 a的连续漏极电流，在25℃时可处理47 a的漏极电流。MOSFET可在PowerPAK 10 x 12外壳中使用。
该芯片的典型应用包括服务器和电信电源，开关模式电源，功率因数校正电源，高强度放电和荧光镇流器照明，以及工业应用，如焊接，感应加热，电机驱动，电池充电器和太阳能光伏逆变器。
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