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网络研讨会:利用宽带隙SiC器件的好处

2022年8月31日新闻

本次为期一小时的网络研讨会将详细介绍英飞凌CoolSiC沟槽栅氧化物结构,以及在器件鲁棒性和性能方面的相应优势。

本文将概述英飞凌科技公司如何投资宽带隙(WBG)技术,通过设备技术和制造能力的进步来提高电力电子产品的性价比。

与会者还将了解英飞凌CoolSiC设备组合的概况。

研讨会主题包括:

•SiC沟槽门拓扑在不牺牲可靠性的情况下提供更高的性能。

•在选择SiC器件而不是传统电源器件时,权衡利弊。

•在实际应用中释放新的效率和性能水平。

•包装选择对充分利用SiC的好处至关重要。

•SiC将如何改变设计健壮、高功率应用程序的格局。

日期:2022年9月22日

时间:17点猫

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