电子科技


三星电子开始使用3nm制程技术生产芯片

2022年7月27日电子科技

三星电子表示,利用gate -全能(GAA)晶体管技术的3纳米制程已开始初步生产。

三星电子的GAA技术Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)突破了FinFET的性能限制,通过降低电源电压水平提高了功率效率,同时通过增加驱动电流能力提高了性能。三星电子首次将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩展到移动处理器领域。

三星电子表示:“三星电子在代工行业的首个高k金属栅极FinFET和EUV等新一代技术应用于制造业方面,一直保持着领先地位,因此发展迅速。三星电子总裁兼代工业务主管Siyoung Choi博士表示:“我们寻求在MBCFET的全球首个3纳米工艺中继续保持这一领导地位。”“我们将继续在有竞争力的技术开发中积极创新,并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”

三星电子的专利技术使用了更宽通道的纳米薄片,与使用更窄通道的纳米线的GAA技术相比,性能和能源效率更高。利用3纳米GAA技术,三星电子将能够调整纳米片的通道宽度,以优化功耗和性能,满足各种客户的需求。

此外,GAA的设计灵活性对设计技术的协同优化非常有利,有助于提高功率、性能和面积(PPA)的利益。与5nbsp;nm工艺相比,第一代3nbsp;nm工艺可降低高达45%的功耗,提高23%的性能,减少16%的面积,而第二代3nbsp;nm工艺可降低高达50%的功耗,提高30%的性能,同时减少35%的表面积。

自2021年第三季度以来,三星一直通过与三星先进铸造生态系统合作伙伴(包括Ansys、Cadence、西门子和Synopsys)的广泛准备,提供经过验证的设计基础设施,以帮助客户在较短的时间内完善他们的产品。

这种新的3纳米工艺技术将迎来一个更强大的设备的新时代,具有更长的电池寿命。


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