电力电子/电源管理


3,3 kV SiC MOSFET和肖特基障屏障二极管

2022年2月28日电力电子/电源管理

牵引力装置(TPU),辅助电源单元(APU),固态变压器(SST),工业电机驱动器和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要高压开关技术来提高效率,减少系统尺寸和重量,增强可靠性。

Microchip Technology宣布扩大其碳化硅(SIC)组合,释放其声称是行业最低的抵抗力(RDS(开))3,3 kV MOSFET和最高电流额定的SIC肖特基屏障二极管(SBDS)可在市场上提供,使设计人员能够利用坚固性,可靠性和性能。通过这种发展,设计人员配备了工具,为电气化的交通,可再生能源,航空航天和工业应用开发更小,更轻,更高效的解决方案。

许多基于硅的设计达到了效率改进的极限,系统成本降低和应用创新。虽然高压SIC提供了验证的替代方案来实现这些结果,但到目前为止,3,3 kV SIC电源装置的可用性有限。Microchip的3,3 kV MOSFET和SBD加入了公司广泛的SIC解决方案,包括700 V,1200 V和1700 V骰子,酌局,模块和数字门驱动器。

Microchip的3,3 kV SiC电源设备包括带R的MOSFETDS(开)只有25米和SBD,具有90 A级的电流额定值。MOSFET和SBD都可以用模具或封装形式提供。

扩展的SIC产品组合由一系列的SIC SPICE模型支持,与Microchip的MPLAB Mindi模拟模拟器模块和驱动板参考设计兼容。智能配置工具(ICT)使设计人员能够为Microchip的Agileswitch系列可配置数字门驱动程序进行建模高效的SIC门驱动程序设置。

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