电力电子/电源管理


双栅极驱动器简化了SIC和IGBT切换电路

2022年2月28日电力电子/电源管理

来自STMicroelectronics的IGBT和碳化硅(SIC)MOSFET的两种新的双通道,电碳化栅极驱动器承诺在高压电源转换和工业应用中节省空间和缓解电路设计。

The STGAP2HD for IGBTs and STGAP2SICD for SiC MOSFETs leverage ST’s latest galvanic isolation technology to provide 6 kV transient voltage capability in an SO-36W wide-body package.In addition, ±100 V/ns dv/dt transient immunity prevents spurious turn-on in electrically noisy operating conditions. The devices can deliver a powerful gate-control signal of up to 4 A, with dual output pins for extra flexibility in gate driving allowing for independent adjustment of turn-on and turn-off times. The active Miller clamp prevents gate spikes during fast commutation in half-bridge topologies.

电路保护功能包括热保护,用于安全操作的看门狗和每个通道的低压锁定(UVLO),以防止以危险的低效率模式启动。STGAP2SICD具有针对SIC MOSFET的需求进行了优化的升高的UVLO阈值电压。

每个设备都有一个ILOCK引脚,用于在双低端和非对称半桥应用中同时接通两个通道。还有互锁以防止传统的半桥电路中的射击电流。在高压轨上的两个驱动器额定电压高达1200 V,并且具有75 ns的输入到输出传播时间,具有高PWM精度。

使用专用关断和制动销和备用销省电引脚,这些新栅极驱动器的目标应用如电源,驱动器,逆变器,焊工和充电器。此外,与TTL和CMOS兼容的输入引脚降至3,3 V简化了与主机微控制器或DSP的连接。

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