Mersen的三相碳化硅(SIC)功率堆栈参考设计提供了具有完整,紧凑,高功率的碳化硅解决方案的系统设计师,无需单独的设备采购,测试和资格。该设计包括Microchip的SIC电源模块和数字门驱动器和Mersen的母线栏,保险丝,电容器和热管理。使用Microchip的1200 V MSCSM120AM042CD3AG碳化硅MOSFET和Agileswitch 2 SAC-12A1HP数字门驱动器,功率堆栈参考设计使工程师能够使用预先为其应用程序的套件进行快速开发高压系统 - 显着减少市场时间。
参考设计提供16千瓦的每升功率密度,高达130°Cj,峰值效率为98%,开关频率高达20 kHz。Utilising Microchip’s rugged SiC MOSFETs and AgileSwitch family of configurable digital gate drivers, the reference design enables engineers to select from 700 V and 1200 V options in currents up to 750 A. Microchip also provides a choice in module construction including baseplate material, direct bonding copper (DBC) ceramic material and die attach method.