电力电子/电力管理


超级结800 V mosfet

2021年10月27日电力电子/电力管理

来自意法半导体的新型超结STPOWER MDmesh K6系列增强了几个关键参数,以最大限度地减少系统功耗损失。它特别适用于基于反激拓扑的照明应用,如LED驱动器,HID灯,适配器和平板显示器电源。

ST声称MDmesh K6在800v电压下具有目前市场上最好的RDS(on) x区域,使新型紧凑设计结合了高功率密度和高效率。此外,与之前的MDmesh K5一代相比,K6系列具有更低的阈值电压,从而使驱动电压更低,从而减少功率损耗,并主要在零瓦待机应用中获得效率。总闸极电荷(Qg)也非常低,允许高开关速度和低损耗。集成的ESD保护二极管将MOSFET的整体强度提高到人体模型(HBM)第2级。

更多信息,请联系雷纳尔多·菲比格,奥创箭, +27 11 923 9600rfibiger@arrow.altech.co.zawww.altronarrow.com


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