电力电子/电力管理


隔离SiC栅驱动器

2021年10月27日电力电子/电力管理

STMicroelectronics的STGAP2SiCSN单通道栅极驱动器,优化用于控制碳化硅(SiC) mosfet,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供稳健的性能。应用领域包括电动汽车充电系统、开关电源、高压功率因数校正(PFC)、DC/DC转换器、不间断电源(UPS)、太阳能、电机驱动、风扇、工厂自动化、家用电器和感应加热。

STGAP2SiCSN具有栅驱动通道和低压控制之间的电隔离,在高压轨道上可工作高达1700v。小于75 ns的输入输出传播时间确保了高PWM精度,多亏了±100 V/ns的共模暂态抗扰度(CMTI),开关可靠。内置保护包括欠压锁定(UVLO),通过调整阈值来防止SiC电源开关在低效率或不安全的条件下运行,以及如果检测到过高的结温度,则会使两个驱动器输出变低的热关闭。

两种可选配置,提供单独输出的选择,允许开启和关闭时间独立优化使用外部电阻器,或一个具有主动米勒钳位功能的单一输出。单输出配置提高了高频硬开关应用的稳定性,利用米勒钳防止电源开关过度振荡。

更多信息,请联系雷纳尔多·菲比格,奥创箭, +27 11 923 9600rfibiger@arrow.altech.co.zawww.altronarrow.com


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