电力电子/电力管理


EBV与英飞凌在碳化硅技术上进行合作

2021年6月23日电力电子/电力管理

EBV Elektronik正与英飞凌技术公司密切合作,研发基于碳化硅(SiC)的CoolSiC技术,该技术为工程师在广泛的市场领域和应用中设计先进的电力系统提供了关键优势。英飞凌和爱波威将在未来一年及更长的时间内合作,加快使用CoolSiC技术的节能电力设备的部署。

全球对改进的、更小的、成本效益更高的电力转换系统的需求强劲,特别是对快速增长的电动汽车市场。与传统的硅相比,碳化硅具有许多重要的优点,包括更高的电压工作,更宽的工作温度范围和更高的开关频率。

英飞凌的CoolSiC技术基于半导体材料的这些固有优势,在电池充电、光伏逆变器、电机驱动、储能和电源等各种应用中提供效率和可靠性。CoolSiC产品组合范围从基于SiC的二极管和分立mosfet到混合和全SiC模块。

作为两家公司合作的一部分,Avnet和EBV独家提供英飞凌的入门级评估板(EVAL-1ED3122MC12H-SiC),旨在为工程师和开发人员提供快速尝试先进CoolSiC技术的可能性的简单方法。该板可以用于评估650 V或1200 V CoolSiC mosfet的性能,这将需要焊接到板取决于用户的应用。在这一合作框架内,为设计电力系统的工程师提供了广泛的培训方案。

新英飞凌主板的主要特点包括以半桥结构组织的CoolSiC mosfet,以及1ED-X3系列单通道、电隔离10a门驱动器和隔离电源电路的板载优化成员,以提供所需的电压。

更多信息请联系EBV Electrolink, +27 21 402 1940,capetown@ebv.comwww.ebv.com


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