电力电子/电源管理


用于电动汽车充电的SiC MOSFET模块

2021年5月26日电力电子/电源管理

ON Semiconductor发布了一对1200 V全碳化硅(SiC) MOSFET 2-pack模块,进一步增强了其适用于充满挑战的电动汽车(EV)市场的产品范围。

随着电动汽车销量的持续增长,必须推出满足司机需求的基础设施,提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成他们的旅程,而没有“里程焦虑”。该行业的需求正在迅速发展,要求超过350千瓦的功率水平和95%的效率成为“标准”。考虑到这些充电器部署的环境和位置的多样性,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计师面临的挑战。

新模块基于平面技术,适用于18-20 V的驱动电压范围,使用负栅极电压驱动很简单。与沟道mosfet相比,较大的模具降低了热电阻,因此在相同的操作温度下降低了模具温度。

NXH010P120MNF1配置为2包半桥接,是一个10 mΩ的设备,安装在F1包中;NXH006P120MNF2是一个6 Ω的设备,安装在F2包中。该封装具有压接销,使其成为工业应用的理想选择,嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻有助于温度监测。

作为ON Semiconductor电动汽车充电生态系统的一部分,新的SiC MOSFET模块被设计为与NCD5700x等驱动解决方案一起工作。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双低端、双高端或半桥操作。

NCD57252封装在一个小的SOIC-16宽体封装中,接受逻辑电平输入(3,3v, 5v和15v)。在米勒平台电压下,60 A的sink)适合高速工作,因为典型的传播延迟为60 ns。

与类似的硅器件相比,ON Semiconductor SiC mosfet提供了卓越的开关性能和增强的热效应,是新模块和栅极驱动器的补充。这提高了效率,更大的功率密度,改善了电磁干扰(EMI),并减少了系统的尺寸和重量。

最近宣布的650 V SiC mosfet采用了一种新颖的有源电池设计,并结合了先进的薄晶圆技术,使RDS(on) x区域具有一流的优异性能(FoM)。该系列器件如NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC为D2PAK7L/TO247封装mosfet提供市场上最低的RDS(on)。

1200v和900 V n通道SiC mosfet具有小的芯片尺寸,减少了器件电容和栅极电荷(Qg -低至220 nC),在电动汽车充电器要求的高频率工作时减少了开关损耗。

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